PWA12 不易产生划痕 分散稳定性良好

半导体硅片研磨抛光用平板状（片状）氧化铝微粉性能指标
产品名称 dv-0值   dv-3 值    dv-50 值    dv-94值
MCA40 <77.6     39-44.6    27.7-31.7    18-20
MCA35 <64.2     35.4-39.8 23.8-27.2    15-17
MCA30 <50.4     28.1-32.3 19.2-22.3  13.4-15.6
MCA25 <40.1     24.4-28.2 16.1-18.7    9.6-11.2
MCA20 <32.0     20.9-24.1 13.1-15.3    8.2-9.8
MCA15 <25.2     14.8-17.2  9.4-11        5.8-6.8
MCA12 <20.3     11.8-13.8 7.6-8.8         4.5-5.3
MCA09 <16.3     8.9-10.5    5.9-6.9        3.3-3.9
MCA05 <12.5     6.6-7.8      4.3-5.1      2.55-3.05
MCA03 <10.0    4.8-5.6      2.8-3.4          1.5-2.1
MCA01 <5.0       2.3-2.6    0.95-1.05     0.42-0.55
MCA00 <3.0       0.9-1.1   0.48-0.53     0.16-0.20
平板型氧化铝研磨抛光微粉的用途：
1、电子行业：单晶硅片、压电石英晶体、化合物半导体的研抛；
2、玻璃行业：硬质玻璃和显象管玻壳的加工；
3、涂附行业：特种涂料和等离子喷涂的填充剂；
4、金属和陶瓷加工业。

平板状氧化铝抛光研磨微粉的特点：
1、此产品主要成分为工业氧化铝，纯度达到90%以上，具有化学惰性，优异的耐热性，耐酸碱腐蚀性；
2、晶体形状为六角平板状，区别于传统磨料的等体积或者球形，此形状使得磨料颗粒在研磨过程中平行于被加工工件（如半导体硅片等）表面，产生滑动的研磨效果，而非传统的磨料滚动研磨，因而不容易对工件表面产生划伤，同时因为研磨压力是均匀分布在平板颗粒表面，颗粒破碎减少，耐磨性大幅度提高，因而能提供较好的磨削效率，因此可减少磨片机的数量、人工和磨削时间，大大提高了工厂的工作效率，降低了成本；
3、由于硬度比普通氧化铝研磨抛光微粉高，故用量比普通氧化铝研磨抛光微粉要少，如果磨同样数量的产品，其用量比普通氧化铝研磨抛光微粉要节约40%至50%左右。

平板状氧化铝粉采用特别的生产工艺，使其颗粒尺寸更均匀，平板状氧化铝粉的晶体形状为六角平板状，区别于传统磨料的等积型或球形，这种形状使磨料颗粒在研磨运动中平行于被加工工件表面，产生滑动的研磨效果，而非传统磨料的滚动研磨，因而不容易对工件表面产生随机划伤，同时，由于研磨压力是均匀分布在平板状磨粒表面，颗粒破碎减少，耐磨性大幅提高，因而能提供较好的磨削效率和表面光洁度，平板状氧化铝粉研磨粉能够减少研磨和拋光次数至少10- 20%，能够实现快速研磨和抛光。

平板氧化铝粉晶体形状为六角平板状，区别于传统磨料的等体积或者球形，此形状使得磨料颗粒在研磨过程中平行于
被加工工件(如半导体硅片等)表面，产生滑动的研磨效果，而非传统的磨料滚动研磨，因而不容易对工件表面产生划
伤，同时因为研磨压力是均匀分布在平板颗粒表面，颗粒破碎减少，耐磨性大幅度提高，因而能提供很好的磨削效率,
因此可减少磨片机的数量、人工和磨削时间，对于被磨对象来说不易划伤，台格品率可提高，平板氧化铝粉特别适合研磨、抛光半导体单晶多晶硅片、显像管玻壳玻屏、水晶、石英玻璃、硬质玻璃、光学玻璃、液晶显示器(LCD)玻璃基板、压电石英晶体、化合物半导体材料、精密陶瓷材料、蓝宝石等。
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